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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSS169 E6327
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BSS169 E6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSS169 E6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSS169 E6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BSS169 E6327.pdf
vorrätig: 3620

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Spezifikation

BSS169 E6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSS169 E6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSS169 E6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V  
Verlustleistung (max) 360mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 68 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 7 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Depletion Mode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170mA (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSS169 E6327.

Produkteigenschaften BSS169 E6327 BSS159NH6327XTSA2 BSS169L6327 BSS159NH6327XTSA1
Artikelnummer BSS169 E6327 BSS159NH6327XTSA2 BSS169L6327 BSS159NH6327XTSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 7 V 1.4 nC @ 5 V 2.8 nC @ 7 V 2.9 nC @ 5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 68 pF @ 25 V 39 pF @ 25 V 68 pF @ 25 V 44 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 360mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V 3.5Ohm @ 160mA, 10V 2.9Ohm @ 190mA, 10V 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23 PG-SOT23 PG-SOT23-3-5 PG-SOT23
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 100 V 60 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 50µA 2.4V @ 26µA 1.8V @ 50µA 2.4V @ 26µA
Serie SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170mA (Ta) 230mA (Ta) 170mA (Ta) 230mA (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Depletion Mode Depletion Mode Depletion Mode Depletion Mode
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V 0V, 10V 0V, 10V 0V, 10V

BSS169 E6327 Datenblatt PDF

Laden Sie BSS169 E6327 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSS169 E6327 - Infineon Technologies herunter.

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